南京工业大学(南工大是211大学吗)
南京工业大学
现在南工大主要感觉还是差一个双一流名头吧,感觉没有这个头衔,对它发展还是比较不利的,这个可以对比南信大和南邮,从江苏省高考录取位次就能看出,现在南工大已经慢慢落后于同城大学。
说实话呢,南工大虽然是一所双非院校,但是吧,实力还是比较厉害的,常年软科排名前100,国际上也能排到300-400名。
*地区的宗教文化错综复杂,在东嘎村矛盾尤为明显,古老*的本土宗教雍仲苯教与印度传入并影响深远的藏传佛教在此处交融共生,形成了一种
。无论转动转经筒亦或沿着白塔走动转经,甚至是让风吹动写满*的风马旗都可以积累功德。通过反复诵念*和咒语,信徒们可以逐渐提高自己的修行成果,所以每日晨午晚皆会有或大或小的转经仪式。
南工大是211大学吗
图1:(a)二维电荷捕获介质相比传统存储介质可以带来平整截面,超薄厚度,均匀分布的缺陷存储等优势。(b)基于二维PbI2的电荷捕获型存储器示意图。(c-e)WSe2,WS2,MoS2与PbI2结合后器件的存储窗口。
利用PbI2的电荷捕获特性可以进一步模拟*突触器件,在这个三端MoS2/PbI2器件中,栅极脉冲作为突触前刺激,沟道电流作为突触响应,PbI2中的碘空位可用于模仿*递质,图5a。该器件成功实现了双脉冲抑制/增强效应,短程塑型到长程塑型的变化等突触特性,图5b-e。并且表现出了超过100位可调的电导态,应用*网络进行图像识别仿真,表现出接近97%的高识别精度,图5f-g。
利用溶液法制备二维PbI2纳米片,将其与二维半导体沟道材料结合制备了高性能的二维范德华存储器件。以MoS2/PbI2器件为例,器件表现出了栅压可调的超大存储窗口和稳定的存储器件开关特性,(图2)。
(a)MoS2/PbI2*突触器件示意图。(b-c)双脉冲抑制/增强特性。(d)短时记忆到长时记忆的变化。(e)在超过3000个脉冲刺激下连续的电导状态变化。(f)109个增强和抑制的电导态。(g)ANN*网络仿真,权重来源于图(f)。
南工大是一本还是二本
(a)顶栅h-BN/PbI2/MoS2器件的转移曲线。(b)PbI2/MoS2的转移曲线,MoS2位于下方。(c)PbI2/MoS2器件的变温存储窗口。(d)不同层数的PbI2存储器件的存储窗口。(e)MoS2/1LPbI2器件的AFM和光学照片。(f)基于PbI2的电荷捕获型存储模型。
团队首次发现二维PbI2材料特有的电荷捕获特性,可以应用于非易失存储、类*突触等领域。二维PbI2存储介质具有天然的缺陷分布,平整的表面,和高集成的优势,与二维半导体沟道材料如MoS2,WS2,WSe2结合,表现出目前为止优异的电荷捕获型存储器性能。PbI2独特的电荷捕获特性有望结合更多的二维材料并应用于未来的高集成和多功能电子器件。
