可控硅触发电路(0至220伏可控硅调压电路)
可控硅触发电路
这是触发SCR的最常用方法,因为使用R和RC触发方法在栅极处的延长脉冲会导致栅极处更多的功率耗散,因此使用UJT(UniJunctionTransistor)作为触发器件可以限制功率损耗,因为它会产生一串脉冲。
电路显示了可控硅SCR的电阻触发,它用于从输入交流电源驱动负载。电阻和二极管组合电路充当栅极控制电路,以在所需条件下切换SCR。
它在B处提供一系列窄脉冲,当电容充电到UT的峰值电压(V_)时,UJT开启。这会在发射极–基极1结上放置一个低电阻,并且发射极电流流过脉冲变压器的初级,将栅极信号施加到可控硅SCR,可以通过增加C的值来增加输出信号的脉冲宽度。
串联或并联连接的可控硅SCR应从同一源并在同一时刻触发,这可以通过使用相对较高的栅极触发电压来实现。该电压可以更快地使可控硅SCR疲劳,从而导致一致的导通时间。脉冲变压器用于确保同时触发所有栅极。
当通过改变电阻R2施加栅极电流以使栅极电流应大于栅极电流的最小值时,可控硅SCR导通,因此负载电流开始流过可控硅SCR。
0至220伏可控硅调压电路
在交流应用中控制可控硅SCR的最常用方法是从同一交流源获得触发信号,并在正半周期期间控制其对可控硅SCR的应用点。
施加恒定的直流栅极信号是不可取的,因为栅极功率耗散会一直存在。此外,在交流应用中,直流栅极信号不用于触发可控硅SCR,因为在负半周期期间栅极处存在正信号会增加反向阳极电流并可能损坏可控硅。
开关S闭合以打开可控硅SCR。闭合开关将直流电流施加到可控硅SCR的栅极,该栅极由源极(V_)正向偏置。一旦可控硅SCR导通,就可以打开开关以移除栅极信号。
RC触发电路可以克服电阻触发电路的限制,该电路提供0到180度的触发角控制。通过改变栅极电流的相位和幅度,使用该电路可以获得较大的触发角变化。
该电路的一个困难是,由于脉冲宽度窄,在去除栅极信号之前可能无法获得锁存电流。不过一个RC缓冲电路可以用来消除这个问题。
可控硅的几种接法
如果多个可控硅SCR从同一个源选通,则通过脉冲变压器或光耦合器进行电气隔离很重要,隔离还可以减少不需要的信号,例如瞬态噪声信号,这些信号可能会无意中触发敏感的SCR。
为了降低栅极功率耗散,可控硅触发电路产生单个脉冲或一串脉冲,而不是连续的直流栅极信号,这可以精确控制可控硅SCR的触发点,此外,很容易在可控硅SCR和栅极触发电路之间提供电气隔离。
当来自UJT的脉冲施加到Q的基极时,晶体管饱和,并且电源电压V_被施加在初级两端,这会在脉冲变压器的次级感应出一个电压脉冲,该电压脉冲被施加到可控硅SCR。当脉冲到IQ的基极被移除时,它关闭。
RC网络连接到构成定时电路的UJT的发射极端子。电容是固定的,而电阻是可变的,因此电容的充电速率取决于可变电阻,这意味着控制RC时间常数。
