可控硅工作原理(三相可控硅加热控制器)

可控硅工作原理

中,可作为大功率驱动器件,实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅,简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接,这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单,没有反向耐压问题,因此特别适合做交流无触点开关使用。

的区别。1.工作原理:单向可控硅是一种四层结构的半导体器件,它由一对PNPN层叠而成。当控制端施加一个触发脉冲时,控制端到阳极之间产生一个

NPN晶体管被偏置导通,而施加到栅极的瞬时正脉冲又使PNP晶体管偏置导通。由于有效hFE瞬间变得大于1,所以特殊耦合的晶体管会饱和。

特别耦合的两个晶体管反馈放大器的组合hFE小于1,因为正常漏电流非常低,从而使电路处于截止状态。

三相可控硅加热控制器

下图向我们展示了SCR的简单框图(左上)及其原理图(右上)。下图向我们展示了PNPN器件的操作,最好将其可视化为一对特殊耦合的晶体管。

当晶体管饱和一次时,流经晶体管的电流足以使组合hFE大于1。直到通过降低阳极至阴极电流(It)使组合hFE小于1且再生停止而将其关闭之前,电路仍保持开启状态。该阈值阳极电流就是SCR的保持电流。

可控硅是四层三端器件，它有J1、J2、J3三个PN结图1，可以把它中间的NP分成两部分，构成一个PNP型三极管和一个NPN型三极管的复合管图2

可控硅T在工作过程中，它的阳极A和阴极K与电源和负载连接，组成可控硅的主电路，可控硅的门极G和阴极K与控制可控硅的装置连接，组成可控硅的控制电路。

当可控硅承受正向阳极电压时，为使可控硅导铜，必须使承受反向电压的PN结J2失去阻挡作用。图2中每个晶体管的集电极电流同时就是另一个晶体管的基极电流。因此，两个互相复合的晶体管电路，当有足够的门机电流Ig流入时，就会形成强烈的正反馈，造成两晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。

可控硅晶闸管测量好坏

式(1—1)中，在可控硅导通后，1-(a1+a2)≈0,即使此时门极电流Ig=0,可控硅仍能保持原来的阳极电流Ia而继续导通。可控硅在导通后，门极已失去作用。

设PNP管和NPN管的集电极电流相应为Ic1和Ic2;发射极电流相应为Ia和Ik;电流放大系数相应为a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik，设流过J2结的反相漏电电流为Ic0,

在可控硅导通后，如果不断的减小电源电压或增大回路电阻，使阳极电流Ia减小到维持电流IH以下时，由于a1和a1迅速下降，当1-(a1+a2)≈0时，可控硅恢复阻断状态。

至于型号后缀字母的触发电流,各个厂家的代表含义如下:PHILIPS公司:D=5mA,E=10mA,C=15mA,F=25mA,G=50mA,R=200uA或5mA,